Praktický výpočet tranzistorového stupně

Z PanWiki

Přejít na: navigace, hledání

Elektronika

Obsah

Praktický výpočet zesilovače malého signálu s bipolárním tranzistorem

Předpokládané pracovní podmínky tranzistorového stupně

a.Pracovní kmitočty jsou natolik nízké, že se neuplatní kmitočtová závislost parametrů tranzistoru.

b.Veškeré kondenzátory představují pro stejnosměrné napětí rozpojený obvod a pro střídavé napětí zkrat.

Základní zapojení zesilovače malého signálu s bipolárním tranzistorem

Bipolární tranzistor má tři elektrody – báze, kolektor a emitor. Citlivost obvodových parametrů báze na obvodových parametrech kolektoru je z fyzikálního principu tranzistoru velmi malá. Proto se nepoužívá kolektor jako vstupní svorka a báze jako výstupní svorka. Jedna elektroda se vždy volí jako společná pro vstupní a výstupní obvod. Odtud pramení termíny zapojení „se společným emitorem“, „společným kolektorem“ nebo „společnou bází“. Přehled používaných kombinací vstupních a výstupních svorek je uveden v následující tabulce 2.1.

Tabulka 2.1

Emitor Báze Kolektor Zapojení
Společná elektroda Vstupní elektroda Výstupní elektroda Se společným emitorem
Výstupní elektroda Vstupní elektroda Společná elektroda Se společným kolektorem
Vstupní elektroda Společná elektroda Výstupní elektroda Se společnou bází

Návrh pracovního bodu bipolárního tranzistoru

Pracovním bodem tranzistoru ve funkci zesilovače malého signálu se rozumí soubor obvodových parametrů, které popisují stav tranzistoru bez signálu. Pro jednotlivá zapojení je přehled těchto parametrů uveden v tabulce 3.1.

Tabulka 3.1

Zapojení Vstupní obvod Výstupní obvod
Se společným emitorem Proud bází IB,
Napětí báze – emitor UBE
Proud kolektorem IC,
Napětí kolektor – emitor UCE
Se společnou bází Proud emitorem IE,
Napětí emitor – báze UEB
Proud kolektorem IC,
Napětí kolektor – báze UCB
Se společným kolektorem Proud bází IB,
Napětí báze – emitor UBE
Proud emitorem IE,
Napětí kolektor – emitor UCE

Hodnoty obvodových veličin pracovního bodu nesmí nikdy překročit maximální povolené hodnoty pro každou obvodovou veličinu. Většinou jsou udávány ICMAX, UCEMAX a IBMAX. Mezní hodnota napětí báze – emitor v propustném směru se většinou neudává, protože je určeno maximálním proudem IBMAX. Mezní napětí báze – emitor je stanovováno v závěrném směru. V tomto případě není pracovní bod tranzistoru v aktivní oblasti, proto se jím nebudeme dále zabývat. Pracovní bod je nutné stanovit tak, aby hodnoty obvodových veličin výstupního obvodu závisely lineárně na malých změnách obvodových veličin vstupního obvodu – pracovní bod musí ležet uvnitř aktivní oblasti. Zesilovač malého signálu v principu přeměňuje elektrickou energii dodávanou napájecím zdrojem na energii výstupního signálu. Tato přeměna je řízena vstupním signálem. Energetická účinnost této přeměny je nízká – většina energie dodané napájecím zdrojem je přeměněna na teplo. Pracovní bod musí být navržen tak, aby veškeré takto vzniklé teplo byl tranzistor schopen vyzářit do okolí.

Zapojení se společným emitorem

Základní zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem je uvedeno na obr. 4.1.

Obr. 4.1: Základní zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem

Návrh pracovního bodu vychází z výstupních voltampérových charakteristik tranzistoru, tvořených soustavou křivek, které vyjadřují závislost proudu kolektorem IC na napětí kolektor – emitor UCE. Každá křivka má jako parametr proud bází IB (obr. 4.2).

Obr. 4.2: Určení pracovního bodu tranzistoru z voltampérových charakteristik

Tato soustava je doplněna soustavou křivek vyjadřujících závislost napětí báze – emitor UBE na proudu bází IB s parametrem napětí UCE (vstupní voltampérová) charakteristika. Protože závislost napětí UBE na napětí UCE je velmi malá, je tato soustava často nahrazena jedinou křivkou. Ta je ve své podstatě voltampérovou charakteristikou diody báze – emitor v propustném směru. Pracovní bod se hledá graficko-početní metodou řešení obvodů s nelineárními prvky. Do výstupních voltampérových charakteristik se zakreslí voltampérová charakteristika lineární části obvodu tvořené prvky U0 a RC. Ta je tvořena přímkou spojující body (U0, 0) – napětí naprázdno a (0, U0/RC) – proud nakrátko. Pracovní bod je zpravidla zvolen ve středu této přímky (tj. přibližně UCE = U0/2). V síti výstupních charakteristik přečteme z parametru nejbližších čar hodnotu IB. Hodnotu IB přeneseme do vstupní charakteristiky a odečteme hodnotu UBE. Tu lze většinou pouze odhadnout – je to napětí na diodě v propustném směru (pro křemíkovou technologii cca 0,7 V). Lineární část vstupního obvodu lze dopočítat. Pro smyčku tvořenou prvky U0, RB a B-E musí platit:

R_B = \frac{U_0 - U_{BE}}{I_B}    4.1)

Způsoby stabilizace pracovního bodu vlivem záporné zpětné vazby.

Z fyzikálního principu funkce tranzistoru známe, že proud kolektorem IC je proudem emitorem IE zmenšený o malý díl tvořený proudem bází IB. Poměr mezi proudem IC a IE můžeme označit α, poměr mezi proudem IC a IB potom označíme β. Matematický zápis uvedených vztahů je následující:

IC = IEIB    (5.1)
IC = αIE    (5.2)
\frac{I_{C}}{I_{B}} = \beta    (5.3)

Určeme nyní vztah mezi činiteli α a β. Z rovnice (5.1) vyloučíme IB dosazením rovnice (5.3) a po té IC dosazením rovnice (5.2): \alpha I_E = I_E-\frac{\alpha I_E}{\beta} Z tohoto vztahu vyjádříme &beta:

\beta = \frac{\alpha}{1-\alpha}    (5.4)

Bude – li tedy proud IB přibližně 1% proudu IE, to znamená, že α = 0,99 a β = 99. Hodnoty činitelů α a β se budou u jednotlivých kusů tranzistorů lišit. Zatímco α je stále jen nepatrně menší než 1 činitel β se u běžných tranzistorů pohybuje v rozmezí 30 až 300. Některé typy jsou děleny podle rozsahu činitele β. Výše uvedený návrh zapojení pro nastavení pracovního bodu platí jen pro konkrétní tranzistor s konkrétní hodnotou činitele β. Proud IB je dán prakticky pouze hodnotou RB. Proud IC, na které závisí značně poloha pracovního bodu je v tomto zapojení určen rovnicí

IC = βIB    (5.5)

Pro praktické použití tranzistoru potřebujeme nalézt zapojení, ve kterém po splnění podmínky pro rozsah hodnot β bude záviset IC pouze na hodnotách pasivních prvků obvodu. Takové řešení předpokládá ovlivnění vstupního obvodu výstupním obvodem. Princip, kdy výstupní obvod ovlivňuje vstupní obvod se nazývá zpětná vazba. V našem případě půjde o zpětnou vazbu mezi proudem IC a proudem IB.

Proudová paralelní zpětná vazba kolektor – báze

Proudovou paralelní zpětnou vazbu kolektor – báze realizuje zapojení na obr. 5.1.

Obr. 5.1: Zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou paralelní zápornou zpětnou vazbou

Proud kolektorem je snímán odporem RC2. Napětí zdroje pro obvod báze je o úbytek na odporu RC2 sníženo. Zvýšení proudu kolektorem způsobuje pokles napětí v obvodu báze a tím zmenšení proudu bází. Jedná se tedy o zápornou zpětnou vazbu. Zapojení si můžeme nahradit náhradním zapojením na obr. 5.2.

Obr. 5.2: Náhradní zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou paralelní zápornou zpětnou vazbou pro určení pracovního bodu

Za předpokladu, že IR2 + IB << IC, bude náhradní napěťový zdroj mít napětí naprázdno

U_{B0} = (U_0-R_{C2}I_C) \frac{R_2}{R_1+R_2}    (5.6)


a vnitřní odpor

R_B=\frac{R_1 R_2}{R_1 + R_2}.    (5.7)

Aplikací 2. Kirchhoffova zákona pro IB platí:

I_B=\frac{U_{B0}- U_{BE}}{R_B}    (5.8)


Po dosazení (5.5) až (5.7) a úpravě dostaneme pro IB vztah:

I_B = \frac{U_0}{R_1 + \beta R_{C2}} - \frac{U_{BE}(R_1 + R_2)}{(R_1 + \beta R_{C2})R_2}    (5.9)

Splníme – li podmínku, že

\beta \gg \frac{R_1}{R_{C2}}    (5.10)

můžeme člen R1 ve jmenovatelích zlomků v (5.9) zanedbat a uplatníme-li vztah (5.5) na vztah (5.9) dostaneme

I_C = \frac{U_0}{R_{C2}} - \frac{U_{BE} (R_1 + R_2)}{R_2 R_{C2}}    (5.11)

Pro napětí UCE, které by mělo být přibližně ½ U0 platí:

UCE = U0 − (RC1 + RC2)IC    (5.12)

Pracovní bod tranzistoru za podmínky (5.10) lze nastavit pasivními prvky prakticky nezávisle na jeho zesilovacím činiteli β.

Proudová sériová zpětná vazba emitor – báze

Proudovou sériovou zpětnou vazbu emitor – báze realizuje zapojení na obr. 5.3.

Obr. 5.3: Zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou sériovou zápornou zpětnou vazbou

Proud emitorem je snímán odporem RE. Pomocí vztahu (5.5) můžeme snadno odvodit, že I_E = \frac{\beta + 1}{\beta} I_C. Napětí na odporu RE je přímo úměrné proudu IE a tedy také IC. Zapojení si můžeme nahradit náhradním zapojením na obr. 5.4,

Obr. 5.4: Náhradní zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou sériovou zápornou zpětnou vazbou pro určení pracovního bodu

kde

U_B = U_0 \frac{R_2}{(R_1 + R_2)}     (5.13) 

a

R_B = \frac{R_1 R_2}{R_1 + R_2}     (5.14).

Pro smyčku v obvodu báze platí:

UB = RBIB + UBE + REIE    (5.15)

Zvýšení proudu kolektorem je ve smyčce kompenzováno poklesem proudu bází. Jedná se tedy o zápornou zpětnou vazbu. Po dosazení vztahů (5.1), (5.5), (5.13) a (5.14) do (5.15) a po úpravě dostaneme

I_B = \frac{U_0 R_2 - U_{BE}(R_1+R_2)}{R_1 R_2 + R_E(R_1 + R_2)(\beta + 1)}    (5.16) 

Pro další zjednodušení výpočtu potřebujeme ve jmenovateli (5.16) zanedbat člen R1R2. To je možné, je-li splněna podmínka:

\beta + 1 \gg \frac{R_1 R_2}{R_E(R_1 + R_2)},

po aplikaci (5.14) a za předpokladu, že β >> 1 můžeme psát:

 \beta \gg \frac{R_B}{R_E}    (5.17)

Výraz (5.16) lze za uvedených podmínek zjednodušit takto:

I_B = \frac{U_B - U_{BE}}{\beta R_E}    (5.18).

Po dosazení (5.5) dostaneme pro IC:

I_C = \frac{U_B - U_{BE}}{R_E}    (5.19)

Pro napětí UCE, které by mělo být přibližně ½ U0 platí přibližně:

UCE = U0 − (RC + RE)IC.    (5.20)

Pracovní bod tranzistoru za podmínky (5.17) lze nastavit pasivními prvky prakticky nezávisle na jeho zesilovacím činiteli β.

Stanovení parametrů čtyřpólového linearizovaného modelu tranzistoru v pracovním bodě

Hovoříme – li o zesilovači malého signálu, předpokládáme, že špičkové hodnoty parametrů signálu jsou mnohem menší než hodnoty odpovídajících veličin určených pracovním bodem tranzistoru. Signálové veličiny jsou superponovány na veličiny pracovního bodu. Signál tak představuje nepatrné změny parametrů určených pracovním bodem tranzistoru. Proto pro signál je tranzistor představován svými diferenciálními parametry v pracovním bodu. Vzhledem k tomu, že signálové veličiny jsou jen nepatrnými změnami parametrů určených pracovním bodem tranzistoru, budeme diferenciální parametry pokládat za lineární. Pro signál tak tranzistor nahradíme souborem lineárních diferenciálních parametrů – tzv. linearizovaným modelem. Pro bipolární tranzistor se většinou používá systém hybridních parametrů (dále h parametrů). Systém h parametrů je definován rovnicemi:

u1 = h11i1 + h12u2    (6.1)

a

i2 = h21i1 + h22u2    (6.2),

kterým odpovídá náhradní schéma obr. 6.1.

Obr. 6.1: Náhradní zapojení pomocí h parametrů

Malá písmena reprezentují střídavé signálové hodnoty, index 1 představuje vstupní a index 2 výstupní veličiny. Pro zapojení se společným emitorem představuje u1 napětí uBE, u2 napětí uCE, i1 proud iB a i2 proud iC. Význam jednotlivých parametrů vyplývá z rovnic (6.1) a (6.2). Ve stavu s výstupem nakrátko – to znamená u2 = 0, tj. napětí na výstupu je konstantní, určené pracovním bodem, můžeme odvodit význam parametrů h11 a h21:

h_{11} = \frac{u_1}{i_1}..... vstupní odpor při výstupu nakrátko
h_{21} = \frac{i_2}{i_1}..... proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko.

Ve stavu se vstupem naprázdno – to znamená i1 = 0, tj. proud vstupním obvodem je konstantní, určený pracovním bodem, můžeme odvodit význam parametrů h12 a h22:

h_{12} = \frac{u_1}{u_2}..... zpětný napěťový přenos při vstupu naprázdno
h_{22} = \frac{i_2}{u_2}..... výstupní vodivost při vstupu naprázdno.

Parametr h21 závisí na kmitočtu, pro nízké kmitočty jej můžeme považovat přibližně za rovný β. Parametr h11 je dynamickým odporem přechodu báze – emitor v pracovním bodě. Ten lze odvodit ze závislosti proudu na napětí a je přibližně roven:

h_{11} \approx r_{BE} = \frac{kT}{q_e I_B}    (6.3)

kde

k = 1,38 * 10^{-23} \frac{J}{K}.....Boltzmannova konstanta
T.....absolutní teplota (K)
qe = 1,6 * 10 − 19C.....náboj elektronu
IB.....stejnosměrný proud bází v pracovním bodě (A)

Parametr h12 pro nízké kmitočty a pro tento přibližný výpočet zanedbáme. Parametr h22 je dán hodnotou tzv. Earlyho napětí. Budeme-li extrapolovat přímkové části výstupních charakteristik tranzistoru vlevo od skutečných charakteristik zjistíme, že tyto čáry protínají vodorovnou osu v jednom bodě – obr. 6.2.

Obr. 6.2: Určení Earlyho napětí

Vzdálenost tohoto bodu od počátku souřadnic (UCE = 0) se nazývá Earlyho napětí. Praktické hodnoty se pohybují pro tranzistory NPN v rozmezí 80 až 200 V, pro tranzistory PNP v rozmezí 40 až 150 V. Z obr. 6.2 je patrné, že hodnotu h22 lze určit:

h_{22} \approx \frac{I_C}{U_{CE} + U_{Early}}    (6.4).

Stanovení parametrů zesilovacího stupně pro střídavý signál

Pro účel stanovení parametrů zesilovacího stupně pro střídavý signál použijeme náhradní schéma, ve kterém vlastní tranzistor nahradíme jeho zjednodušeným linearizovaným modelem. Prvky nastavující pracovní bod doplníme s tím, že všechny vazební a blokovací kondenzátory představují zkrat, napěťové napájecí zdroje představují zkrat a napájecí proudové zdroje představují rozpojený obvod.

Stupeň se zápornou proudovou sériovou zpětnou vazbou

Zápornou sériovou proudovou zpětnou vazbu realizujeme vložením zpětnovazebního rezistoru RE do emitoru tranzistoru obr. 8.1.

Obr. 8.1: Zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou sériovou zápornou zpětnou vazbou

Náhradní zapojení pro malý signál je uvedeno na obr. 8.2.

Obr. 8.2: Náhradní zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou sériovou zápornou zpětnou vazbou pro malý signál

Zpětnovazební signál je tvořen úbytkem napětí na rezistoru RE, který je úměrný proudu výstupním obvodem.

URE = REiE = RE(h21 + 1)iB    (8.1).

Toto napětí se ve vstupním obvodu odečítá od napětí na vstupních svorkách, a tak vzniká napětí na vstupních obvodech tranzistoru. Proud bází tranzistoru iB je dán poměrem tohoto vstupního napětí a dynamického odporu vstupního obvodu tranzistoru rBE, který odpovídá parametru h11.

i_B = \frac{u_1 - u_{RE}}{h_{11}}    (8.2)

Po dosazení (8.1) do (8.2) a úpravě dostaneme

i_B = \frac{u_{1}}{h_{11} + (h_{21} + 1) R_E} 	(8.3)

Vstupní proud i1 je dán součtem proudů tekoucích rezistory R1 a R2 a proudu iB. Můžeme zapsat vztah pro vstupní odpor tranzistorového stupně následujícím způsobem:

R_{vst} = \frac{1}{\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} + \frac{1}{h_{11} + (h_{21} + 1) R_E}}    (8.4)

Zpravidla budou dodrženy nerovnosti:

h_{21} \gg 1
h_{11} \gg (h_{21} + 1) R_E

Vztah (8.4) je možné proto zjednodušit

 R_{vst} = \frac{1}{\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} + \frac{1}{h_{21} R_E}}    (8.5)

Výstupní obvod budeme řešit pomocí 2. Kirchhoffova zákona:

R_C i_A + \frac{1}{h_{22}}(i_A - h_{21} i_B) +  R_E ((h_{21} + 1) i_B + i_A) = 0    (8.6)

Z rovnice (8.6) vyjádříme iA:

i_A = \frac{\frac{h_{21}}{h_{22}} - R_E (h_{21} + 1)}{R_C + R_E + \frac{1}{h_{22}}} i_B    (8.7)

Za předpokladů

\frac{1}{h_{22}} \gg R_C
\frac{1}{h_{22}} \gg R_E
h_{21} \gg 1    (8.8),

můžeme vztah (8.7) zjednodušit:

iA = h21iB    (8.9)

Výstupní napětí je úbytkem na odporu RC vyvolaným proudem iA:

u2 =  − RCiA =  − RCh21iB.    (8.10)

Po dosazení (8.3) za iB dostaneme:

u_2 = -\frac{R_C h_{21}}{h_{11} + (h_{21} + 1)R_E} u_1    (8.11).

Za uplatnění předpokladů (8.8) dostaneme:

u_2 = - \frac{R_C}{R_E} u_1.

Napěťový přenos tranzistorového stupně je roven:

A_u = \frac{u_2}{u_1} = - \frac{R_C}{R_E}.

Tranzistorový stupeň je invertujícím zesilovačem napětí se ziskem daným pouze poměrem rezistorů RC a RE. Vstupní odpor je dán paralelní kombinací odporů R1, R2 a vstupního odporu vlastního tranzistoru. Vlivem záporné zpětné vazby se vstupní odpor vlastního tranzistoru zvyšuje.

Stupeň s proudovou paralelní zpětnou vazbou

Schéma stupně s proudovou paralelní zpětnou vazbou je uvedeno na obr. 9.1

Obr. 9.1: Zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou paralelní zápornou zpětnou vazbou

a jeho odpovídající náhradní obvod na obr. 9.2.

Obr. 9.2: Náhradní zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou paralelní zápornou zpětnou vazbou pro malý signál

Při odvození parametrů prvků pro nastavení pracovního bodu tranzistoru jsme předpokládali: \beta R_{C2} \gg R_1. Pro nízké kmitočty lze přibližně uvažovat h21 = β. Odpory RC1 a RC2 budou řádově jednotky kOhm, jejich odpor bude vždy mnohem menší než parametr 1/h22. Proto zavedeme následující předpoklady:

h_{21} R_{C2} \gg R_1
\frac{1}{h_{22}} \gg R_{C1} + R_{C2}    (9.1).

Dále si označíme:

RC = RC1 + RC2    (9.2).

Odpor R2 je zapojen paralelně ke zdroji signálu. Nebudeme s ním během odvození počítat, respektovat ho budeme jako paralelní odpor ke vstupnímu odporu samotného stupně v závěru stanovení vstupního odporu. Z náhradního obvodu (obr. 9.2) je zřejmé, že můžeme stanovit napěťový zisk podobně jako u stupně bez zpětné vazby:

A_u = \frac{u_2}{u_1} = - \frac{h_{21} R_C}{h_{11}}    (9.3)

Vstupní proud i1 se podle 1.Kirchhoffova zákona dělí na proud bází iB a proud zpětnovazební větví iFB. Proud zpětnovazební větví lze stanovit jako poměr napětí na odporu R1 a samotného odporu R1:

i_{FB} = \frac{u_{R1}}{R_1} = \frac{(u_1 - \frac{u_2 R_{C2}}{R_C})}{R_1} = 
 \frac{u_1 (1 + \frac{h_{21} R_C R_{C2}}{h_{11} R_C}}{R_1} = \frac{h_{21} R_{C2} + h_{11}}{h_{11} R_1} u_1.

Pro vstupní proud i1 platí:

i_1 = i_B + i_{FB} = \frac{u_1}{h_{11}} + (\frac{h_{21} R_{C2} + h{11}}{h_{11} R_1})u_1

Uvážíme-li předpoklad (9.1) a budeme dále předpokládat h_{21} R_{C2} \gg h_{11}, dostaneme přibližný vztah:

i_1 = \frac{h_{11} R_1}{h_{21} R_{C2}} u_1     (9.4)	

Z tohoto vztahu můžeme vyjádřit Rvst:

R_vst = \frac{u_1}{i_1} = \frac{h_{11} R_1}{h_{21} R_{c2}}    (9.5)

Dosud vypočtené parametry tranzistorového stupně – Au a Rvst závisí na parametrech tranzistoru, především pak na proudovém zesilovacím činiteli při výstupu nakrátko h21. Praktický význam má však takový parametr, který na h21 nezávisí a není tedy nutný výběr konkrétního tranzistoru. Povšimněme si, že napěťový přenos s činitelem h21 v absolutní hodnotě roste, zatímco Rvst klesá. Praktický význam by mohl mít součin obou parametrů:

A_u R_{vst} = \frac{u_2}{u_1} \frac{u_1}{i_1} = \frac{u_2}{i_1}    (9.6)

Vztah (9.6) definuje převodní odpor. Budeme – li za vstupní veličinu považovat vstupní proud i1 a za výstupní veličinu výstupní napětí u2, dostaneme jako přenosový parametr přenosový odpor R21:

R_{21} = \frac{u_2}{u_1} = - \frac{h_{21} R_C}{h_{11}} \frac{h_{11} R_1}{h_{21} R_{C2}} = - R_1 \frac{R_C}{R_{C2}}.

Hlavním prakticky použitelným parametrem pro výpočet vlastností tranzistorového stupně s proudovou paralelní zpětnou vazbou je přenosový odpor:

R_{21} = \frac{u_2}{i_1} = - R_1 \frac{R_C}{R_{C2}}    (9.7).

Vstupní odpor je nepřímo úměrný parametru h21 a tedy velmi malý. Odpor R2 je zpravidla mnohem větší než vstupní odpor vlastního stupně, proto jej nebudeme dále brát v úvahu. Napěťový přenos je přímo úměrný h21, a tak je velmi vysoký. Výstupní odpor je podobný jako u stupně bez zpětné vazby a odpovídá odporu v kolektoru tranzistoru RC – viz náhradní zapojení obr. 9.2. Na tranzistorový stupeň v zapojení se společným emitorem s proudovou paralelní zpětnou vazbou můžeme pohlížet jako na invertující převodník proud – napětí. Schéma náhradního dvojbranu je uvedeno na obr. 9.3.

Obr. 9.3: Náhradní dvojbran zapojení tranzistorového stupně se společným emitorem s proudovou paralelní zápornou zpětnou vazbou

Zapojení se společnou bází

Základní zapojení tranzistorového stupně se společnou bází je uvedeno na obr. 10.1.

Obr. 10.1: Zapojení tranzistorového stupně se společnou bází

Z hlediska nastavení pracovního bodu tranzistoru se jedná o zapojení s proudovou sériovou zpětnou vazbou a problematika je shodná se zapojením se společným emitorem – viz kapitola 5.2. Náhradní obvod pro malý signál je uveden na obr. 10.2.

Obr. 10.2: Náhradní zapojení tranzistorového stupně se společnou bází pro malý signál

Z náhradního obvodu vyplývá vztah pro iB:

i_B = - \frac{u_1}{h_{11}}    (10.1)

Odpor RBE je zapojen paralelně ke zdroji vstupního signálu. Pro další odvození na něj nebudeme brát zřetel a v závěru ho můžeme zohlednit jako zátěž zdroje signálu zapojenou paralelně ke vstupnímu odporu vlastního stupně. Pro uzel 1 z 1. Kirchhoffova zákona vyplývá:

i1 + iB + h21iB + (u2u1)h22 = 0    (10.2)

Po dosazení (10.1) do (10.2) dostaneme:

i_1 = \frac{u_1}{h_{11}} + \frac{h_{21} u_1}{h_{11}} - (u_2 - u_1)h_{22}.

Po úpravě:

(1 + h21 + h11h22)u1h11h22u2 = h11i1    (10.3)

Pro uzel 2 z 1. Kirchhoffova zákona vyplývá:

\frac{u_2}{R_C }+ h_{21} i_B + (u_2 - u_1) h_{22} = 0    (10.4)

Do (10.4) dosadíme (10.1) a dostaneme:

\frac{u_2}{R_C} - \frac{h_{21} u_1}{h_{11}} + (u_2 - u_1) h_{22} = 0    (10.6)

a po úpravě (10.6):

 − (h21h22h11)RCu1 + (h11 + h11h22RC)u2 = 0    (10.7)

Ze vztahu (10.7) můžeme stanovit napěťový přenos stupně:

A_u = \frac{u_2}{u_1} = \frac{(h_{21} - h_{22}h_{11}) R_C}{h_{11} + h_{11} h_{22} R_C}(10.8)

Většinou můžeme předpokládat:

1 \gg h_{22} R_C 
h_{21} \gg h_{11} h_{h22}    (10.9)

Vztah (10.8) za předpokladů (10.9) lze zjednodušit :

A_u = \frac{u_2}{u_1} = \frac{h_{21} R_C}{h_{11}}    (10.10)

Napěťový přenos je vysoký, závisí na parametrech tranzistoru a má kladné znaménko. Stupeň je neinvertujícím zesilovačem s velkým napěťovým ziskem. Vyšetřeme nyní vstupní odpor tranzistorového stupně. Dosadíme do rovnice (10.3) za u2 vztah z rovnice (10.8):

\frac{(1 + h_{21} + h_{11} h_{22}) - h_{11} h_{22}(h_{21} - h_{11} h_{22})R_C}{h_{11} + h_{11} h_{22} R_C} u_1 = h_{11} i_1

Po úpravě:

(1 + h21 + h22(RC + h11))u1 = h11(1 + h22RC)i1    (10.11)

Z rovnice (10.11) můžeme vyjádřit Rvst:

R_{vst} = \frac{u_1}{i_1} = \frac{h_{11}(1 + h_{22}R_C)}{1 + h_{21} + h_{22}(R_C + h_{11})}    (10.12)

Zavedeme – li předpoklady praktických hodnot (10.9):

R_{vst} = \frac{u_1}{i_1} = \frac{h_{11}}{h_{21}}    (10.13)

Vstupní odpor je rovněž závislý na parametrech tranzistoru. Praktické hodnoty jsou velmi malé (jednotky až desítky Ohmů). Odpor RE není nutný pro nastavení pracovního bodu. Slouží k úpravě vstupního odporu tranzistorového stupně. Výstupní odpor jak vyplývá z náhradního schématu – obr. 10.2 je prakticky roven RC. Pokusme se nalézt přenosový parametr, který bude záviset pouze na pasivních prvcích obvodu a ne na parametrech individuálních tranzistorů (především h21). Napěťový přenos je přímo úměrný h21 a vstupní odpor nepřímo úměrný h21. Jejich součin (součin vztahů (10.11) a (10.8) bude proto velmi málo záviset na h21.

R_{vst} A_u = \frac{u_1}{i_1} \frac{u_2}{u_1} = \frac{u_2}{i_1} = \frac{h_{11}}{h_{21}} \frac{h_{21} R_C}{h_{11}} = R_C    (10.14)

Vztah (10.14) zavádí definici přenosového odporu R21 jako poměru mezi výstupním napětím a vstupním proudem. Tento parametr je roven kolektorovému odporu RC a prakticky nezávisí na parametrech individuálního tranzistoru. Na tranzistorový stupeň v zapojení se společnou bází můžeme pohlížet jako na převodník proud – napětí. Zapojení náhradního dvojbranu je uvedeno na (obr.10.3).

Obr. 10.3: Náhradní dvojbran tranzistorového stupně se společnou bází

Zapojení se společným kolektorem

Základní zapojení tranzistorového stupně se společným kolektorem je uvedeno na obr. 11.1.

Obr. 11.1: Zapojení tranzistorového stupně se společným kolektorem

Z hlediska nastavení pracovního bodu tranzistoru se jedná o zapojení s proudovou sériovou zpětnou vazbou a problematika je shodná se zapojením se společným emitorem – viz kapitola 5.2. Náhradní obvod pro malý signál je uveden na obr. 11.2.

Obr. 11.2: Náhradní zapojení tranzistorového stupně se společným kolektorem pro malý signál

Z náhradního obvodu vyplývá vztah pro iB:

i_B=\frac{u_1-u_2}{h_{11}}    (11.1)

Odpory R1 a R2 jsou zapojeny paralelně ke zdroji vstupního signálu. Pro další odvození na ně nebudeme brát zřetel a v závěru je zohledníme jako zátěž zdroje signálu zapojenou paralelně ke vstupnímu odporu vlastního stupně. Pro uzel 2 z 1. Kirchhoffova zákona vyplývá:

i_B+h_{21}i_B-u_2h_{22}-\frac{u_2}{R_E}=0    (11.2)

Po dosazení (11.1) do (11.2) dostaneme:

\frac{u_1-u_2}{h_{11}}+\frac{h_{21}(u_1-u_2)}{h_{11}}-u_2h_{22}-\frac{u_2}{R_E}=0

Po úpravě:

(1+h_{21})u_1-(1+h_{21}+h_{11}h_{22}+\frac{h_{11}}{R_E})u_2=0   (11.3)

Ze vztahu (11.3) můžeme vyjádřit napěťový přenos:

A_u=\frac{u_2}{u_1}=\frac{1+h_{21}}{1+h_{21}+h_{11}h_{22}+\frac{h{11}}{R_E}}    (11.4)

Prakticky lze předpokládat:

h_{21}\gg 1
h_{21} \gg h_{11}h_{22}
h_{21} \gg \frac{h_{11}}{R_E}
h_{22} \gg \frac{1}{R_E}    (11.5).

Aplikací (11.5) na (11.4) zjistíme

A_u=\frac{u_2}{u_1}\approx 1    (11.6)

Napětí na výstupu a na vstupu jsou prakticky shodná. Z principu je vždy u2 nepatrně menším než u1. Stupeň se společným kolektorem nezesiluje napětí – je často nazýván „emitorový sledovač“. Pro stanovení vstupního odporu vyjdeme z rovnice (11.1), do které dosadíme za u2 z (11.4):

i_B=i_1=\frac{1}{h_{11}}(1-\frac{1+h_{21}}{1+h_{21}+h_{11}h_{22}+\frac{h_{11}}{R_E}})u_1   

Po úpravě:

i_1=\frac{h_{22}+\frac{1}{R_E}}{1+h_{21}+h_{11}h_{22}+\frac{h_{11}}{R_E}}u_1    (11.7)

Z (11.7) můžeme již přímo vyjádřit Rvst.

R_{vst}=\frac{u_1}{i_1}=h_{11}+\frac{(h_{21}+1)R_E}{h_{22}R_E+1}    (11.8)

Vezmeme – li v úvahu předpoklady (11.5) dostaneme praktický přibližný vztah:

R_{vst}\approx h_{21}R_E    (11.8)

Uvažme nyní vliv odporů R1 a R2 bude výsledný vstupní odpor emitorového sledovače:

R_{vst}= \frac{1}{\frac{1}{R_1}+\frac{1}{R_2}+\frac{1}{h_{21}R_E}}    (11.9)

Vstupní odpor emitorového sledovače je vysoký, ale může být významně snížen odpory R1 a R2. Výstupní odpor emitorového sledovače budeme řešit jako vnitřní odpor náhradního napěťového zdroje podle Théveninovy věty. Vyřadíme-li napěťové a proudové zdroje (tj. zdroj vstupního napětí) dostaneme z pohledu výstupních svorek náhradní zapojení na obr. 11.3.

Obr. 11.3: Náhradní zapojení pro určení výstupního odporu tranzistorového stupně v zapojení se společným kolektorem

Pro uzel 2 zde platí:

\frac{u_2}{h_{11}}+\frac{h_{21}u_2}{h_{11}+u_2h_{22}+\frac{u_2}{R_E}}=i_2    (11.10)

Ze vztahu (11.10) lze již přímo vyjádřit výstupní odpor:

R_{vyst}= \frac{u_2}{i_2} = \frac{h_{11}}{1+h_{21}+h_{11}h_{22}+ \frac{h_{11}}{R_E}}    (11.11)

Za zjednodušujících předpokladů (11.5):

R_{vyst} \approx \frac{h_{11}}{h_{21}}    (11.12)

Výstupní odpor emitorového sledovače je velmi malý. Emitorový sledovač pracuje jako převodník impedance. Nezesiluje napětí, ale velký vstupní odpor na vstupu převádí na malý výstupní odpor na výstupu.

Závěr

Analýzou nejčastějších zapojení jednostupňových tranzistorových stupňů jsme si vytvořili knihovnu stavebních kamenů pro rozsáhlejší zapojení. Pro každý základní prvek máme nalezeny jednoduché vztahy pro signálové parametry – viz tab 12.1.

Tab. 12.1
Zapojení SE SE SE SB SC
Bez zpětné vazby Zpětná vazba paralelní Zpětná vazba sériová
Au -\frac{h_{21}R_C}{h_{11}} - \frac{h_{21} R_C}{h_{11}} -\frac{R_C}{R_E} -\frac{h_{21}R_C}{h_{11}} 1
Rvst h11 \frac{h_{11} R_1}{h_{21} R_{c2}} \frac{1}{\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} + \frac{1}{h_{21} R_E}} \frac{h_{11}}{h_{21}} \frac{1}{\frac{1}{R_1}+\frac{1}{R_2}+\frac{1}{h_{21}R_E}}
Rvyst RC RC RC RC \frac{h_{11}}{h_{21}}
R21 \frac{h_{11}R_1}{h_{21}R_{C2}} - R_1 \frac{R_C}{R_{C2}} RC